文献类型：期刊文章

作　　者：朱念好[1] 周玉洁[1]

机构地区：[1]上海交通大学芯片与系统研究中心,上海200240

出　　处：《计算机工程与设计》

基　　金：国家创新研究群体科学基金项目(60821062)

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：511-513

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对目前存储管理对大容量NAND Flash考虑的不足,在对大容量NAND Flash物理特性深入研究的基础上,实现了连续写与非连续写技术,提高了存储管理的效率。首先研究并实现了特有的状态信息描述方法,完全符合大容量MLC类型NAND Flash的物理特性,研究并实现了区域映射技术,适用于任何容量的闪存,并实现了连续写与非连续写技术,提高了写大文件的效率。实验结果表明,该方法在文件传输方面最大限度地挖掘了MLC类型NAND Flash的性能。

关 键 词：闪存 存储管理 逻辑写  连续写  非连续写  

分 类 号：TP368.1]