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超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究
SYNTHESIS OF AlN FILMS BY NITRIDATION OF Al FILMS EVAPORATED ON Si(100) SUBSTRATE BY UHV ELECTRON BEAM
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
年 份：1998
卷 号：4
期 号：4
起止页码：277-280
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化后处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１００００Ｃ３０分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。
关 键 词：氮化铝 电子束蒸发 氮化 薄膜 半导体
分 类 号：TN304.055]
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