期刊文章详细信息
NTDCZSi中氧的沉淀与吸除 ( EI收录)
Oxygen Gettering and Precipitation in NTDCZSi
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学材料研究中心,天津300130
年 份：1998
卷 号：29
期 号：6
起止页码：596-597
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。
关 键 词：中子嬗变掺杂 辐照缺陷 CZSI 氧沉淀退火
分 类 号：TN304.12]
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