文献类型：期刊文章

作　　者：杨卫明[1] 段淑卿[1] 芮志贤[1] 王玉科[1] 郭强[1] 简维廷[1]

机构地区：[1]中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2010

卷　　号：35

期　　号：3

起止页码：241-244

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性。传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离子束参数影响越大。对于亚65nm工艺中使用的k值为2.7的介质,当离子束流减小到50pA、加速电压降低到5kV时,FIB制样方法对介质致密度的影响基本可忽略,样品微观形貌得到了显著改善;而对于65nm工艺中使用的k值为3.0的介质,其微观形貌受离子束参数的影响则相对较小。

关 键 词：低介电常数介质 聚焦离子束 透射电子显微镜 样品制备  

分 类 号：TN604]