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期刊文章详细信息

脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究    

The discuss on the uniformity of the film deposited by the pulse multi arc ion source

  

文献类型:期刊文章

作  者:蔡长龙[1] 朱昌[1] 杭凌侠[1] 刘卫国[1] 严一心[1]

机构地区:[1]西安工业学院仪器工程系

出  处:《西安工业学院学报》

年  份:1998

卷  号:18

期  号:4

起止页码:270-274

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题,文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变,进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响.采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性.实验结果表明,在直径70mm范围内透过率相对误差为±6.7%,小于所要求的±10%.

关 键 词:离子镀 均匀性 镀膜层  膜厚 脉冲多弧离子源  

分 类 号:TG174.442] O484.1]

参考文献:

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同被引文献:

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