文献类型：期刊文章

作　　者：张彬[1] 冯全源[1]

机构地区：[1]西南交通大学微电子研究所,成都610031

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金一中物院联合基金资助项目(10876029)

年　　份：2010

卷　　号：40

期　　号：1

起止页码：58-61

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍一种基于UMC0.6μmBCD工艺的低温漂高PSRR带隙电路。采用Brokaw带隙基准核结构,针对温度补偿和PSRR问题,通过改进的线性曲率补偿技术,对温度进行补偿;并利用零点技术提高电路的整体PSRR。HSPICE仿真分析表明:电路具有很好的高低频PSRR,在-40℃到125℃的温度范围内引入温度补偿后,温度系数降为3.7×10-6/℃。当电源电压从2.5V变化到5.5V时,带隙基准的输出电压变化约为670μV,最低工作电压仅为2.2V。

关 键 词：带隙基准源 线性补偿  电源抑制比

分 类 号：TN432]