文献类型：期刊文章

作　　者：陈杨[1,2] 隆仁伟[1] 陈志刚[1]

机构地区：[1]江苏工业学院材料科学与工程学院,常州213164 [2]常州市高分子新材料重点实验室,常州213164

出　　处：《中国有色金属学报》

基　　金：江苏省工业支撑计划资助项目(BE2008037);常州市工业科技攻关资助项目(CE2007068;CE2008083)

年　　份：2010

卷　　号：20

期　　号：1

起止页码：163-169

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以正硅酸乙酯水解所得的SiO2微球为内核,采用均匀沉淀法制备具有草莓状包覆结构的CeO2/SiO2复合粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪(XPS)、动态光散射仪和Zeta电位测定仪等手段,对所制备样品的物相结构、组成、形貌和粒径大小进行表征。将所制备的包覆结构CeO2/SiO2复合粉体用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度,并测量材料去除率。结果表明:所制备的CeO2/SiO2复合颗粒呈规则球形,平均粒径为150～200nm,CeO2纳米颗粒在SiO2内核表面包覆均匀。CeO2颗粒的包覆显著地改变复合颗粒表面的电动力学行为,CeO2/SiO2复合颗粒的等电点为6.2,且明显地偏向纯CeO2;CeO2外壳与SiO2内核之间形成Si—O—Ce键,两者产生化学键结合;抛光后的硅热氧化层表面在2μm×2μm范围内粗糙度为0.281nm,材料去除率达到454.6nm/min。

关 键 词：CeO2/SiO2复合磨料  包覆 化学机械抛光

分 类 号：TB383[材料类]