文献类型：期刊文章

作　　者：尹启堂[1] 李玉柱[1] 安涛[2] 邢毅[2]

机构地区：[1]北京京仪椿树整流器有限责任公司,北京100040 [2]西安理工大学,西安710048

出　　处：《半导体技术》

基　　金：电子产业发展基金资助项目(2006-634)

年　　份：2010

卷　　号：35

期　　号：2

起止页码：129-132

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。

关 键 词：快速恢复二极管  p+pinn+结构  软恢复 少子寿命

分 类 号：TN31]