文献类型：期刊文章

作　　者：韩金良[1] 孙立忠[1,2] 陈效双[2] 陆卫[2] 钟建新[1]

机构地区：[1]湘潭大学量子工程与微纳能源研究所,材料与光电物理学院,湘潭411105 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10874143;10725418;10734090);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20070530008);湖南省教育厅优秀青年基金(批准号:06B092)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：2

起止页码：1202-1211

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000274699000075)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000274699000075)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Au在Hg1-xCdxTe材料中原位取代Hg的p型掺杂对材料各组分电子结构的影响.通过态密度、形成能和动力学能级的理论分析,系统讨论了分子外延(MBE)和液相外延(LPE)两种生长条件下,Au杂质p型掺杂的稳定性和有效性.结果表明Au原位取代Hg后,Hg1-xCdxTe材料一方面表现出相当好的稳定性,另一方面形成浅杂质能级,是一种有效的p型掺杂剂.讨论了生长气氛对Au在Hg1-xCdxTe(MCT)中p型掺杂效率的影响,发现在MBE生长条件下,富阳离子气氛的所有组分,富Te气氛的0.75<x≤1组分以及LPE生长富阳离子条件下的0.75≤x≤1组分的MCT材料中均存在Au杂质的自补偿效应,不适合进行Au的p型掺杂.

关 键 词：化学势 形成能 动力学能级  HG1-XCDXTE

分 类 号：O483]