文献类型：期刊文章

作　　者：程莉[1,2] 汪丽莉[1] 蒲十周[1] 胡妮[1] 张悦[1] 刘雍[1] 魏伟[1] 熊锐[1,2] 石兢[1,2,3]

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,教育部声光材料与器件重点实验室,武汉430072 [2]武汉大学化学与分子科学学院,湖北省有机高分子光电材料重点实验室,武汉430072 [3]中国科学院国际材料物理中心,沈阳110016

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10674105);国家基础科学人才培养基金(批准号:J0830310)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：2

起止页码：1155-1162

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000274699000067)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000274699000067)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用固相反应法制备了Sr14Cu24O41及其系列B位掺杂Sr14(Cu0.97M0.03)24O41(M=Zn,Ni,Co)的样品.X射线衍射分析显示,所有样品均为纯相,晶格常数a与c没有明显的变化;Zn掺杂样品晶格常数b没有明显变化,而Ni,Co掺杂样品晶格常数b分别稍有增加.选区电子衍射研究揭示:磁性元素Ni,Co及非磁性元素Zn掺杂,可能主要替代了Sr14Cu24O41结构中自旋链上的Cu原子,从而影响了自旋链上的dimer排列,破坏电荷有序超结构.电输运测量显示:Zn2+,Ni2+,Co3+离子掺杂样品的电阻率降低,但仍体现半导体行为,所有的掺杂样品都存在一个渡越温度Tρ,当T>Tρ时,其导电机理是以单空穴热激发导电占主要地位,在T<Tρ时,配对的局域化空穴的一维变程跳跃导电占主要优势;在相同的掺杂量下,非磁性元素Zn掺杂对电阻率值的影响大于磁性元素Ni,Co掺杂的影响,而磁性元素Ni,Co掺杂对渡越温度Tρ的影响大于非磁性元素Zn掺杂的影响.

关 键 词：自旋梯状化合物  Sr14Cu24O41  B位掺杂  输运性质

分 类 号：O481]