文献类型：期刊文章

作　　者：邹智毅[1] 魏小兰[1] 李丽坤[1] 付珍[1] 方军[2] 古国榜[1]

机构地区：[1]华南理工大学化学与化工学院,广东广州510640 [2]厦门大学化学与化工学院化学与生物工程系,福建厦门361005

出　　处：《广州化工》

基　　金：科技部十一五"863"计划(2008AA05Z107);华南理工大学学生研究计划(SRP)

年　　份：2010

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：54-56

语　　种：中文

收录情况：CAS、普通刊

摘　　要：合成了孔壁掺磷中孔SiO2(m-PH-SiO2),其BET比表面积为407m2g-1,BJH平均孔径为6.1nm。用交流阻抗技术测定了除去游离P2O5的掺磷中孔SiO2在30℃～200℃范围内100%相对湿度下的质子电导,样品导电率随温度升高而升高,在150℃和100%相对湿度下,样品的电导可达3.1×10-3S·cm-1,比纯中孔SiO2(m-SiO2)的电导约高一个数量级,原因是m-PH-SiO2的物理吸附水量为31个分子/nm2,而m-SiO2只有24个分子/nm2。

关 键 词：掺磷中孔SiO2  中温  质子电导  

分 类 号：TQ424.1] TB383[材料类]