期刊文章详细信息
退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响 ( SCI收录)
Annealing Time Dependence of Morphology and Structure of Epitaxial Graphene on 6H-SiC(0001) Surface
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029 [2]淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院,安徽淮北235000 [3]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
基 金:国家自然科学基金(50872128;50802053)资助项目~~
年 份:2010
卷 号:26
期 号:1
起止页码:253-258
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号:WOS:000273849300040)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000273849300040)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移.
关 键 词:RAMAN 石墨烯 6H-SIC 退火时间 RHEED AFM NEXAFS
分 类 号:O613.71]
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