文献类型：期刊文章

作　　者：王定理[1,2,3] 周宁[2,3] 王磊[4] 刘文[4,3] 徐智谋[4] 石兢[1]

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室,武汉430072 [2]武汉光迅科技股份有限公司,武汉430074 [3]新一代光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹),武汉430074 [4]华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家863资助项目(2009AA03Z418)

年　　份：2010

卷　　号：47

期　　号：1

起止页码：56-59

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。

关 键 词：纳米压印 半导体激光器 分布反馈光栅  相移型光栅  干法刻蚀技术 湿法腐蚀

分 类 号：TN305]