文献类型：期刊文章

作　　者：刘征[1] 陈书明[1] 梁斌[1] 刘必慰[1] 赵振宇[1]

机构地区：[1]国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所,长沙410073

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004);教育部"高性能微处理器技术创新团队";教育部博士点基金(批准号:20079998015)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：1

起止页码：649-654

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000274219100106)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000274219100106)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用三维数值模拟的方法对比研究了单个NMOS晶体管和反相器链中的单粒子瞬变(single event transient,SET)电流脉冲,发现深亚微米工艺下双极放大电流在单管的SET电流脉冲中占主要成分,而在反相器链的SET模拟中不明显,分析二者的区别解释了源/体结偏压的形成过程和放大机理,并证明了双极放大效应受源/体结偏压影响的结论.在此基础上分析了NMOS管中源极的正向电流及其机理,发现台阶区的源极正向电流主要是由扩散作用形成的.

关 键 词：单粒子瞬变  双极放大  混合模拟 台阶区电流  

分 类 号：TN386.1]