文献类型：期刊文章

作　　者：何晓英[1] 张艳[1] 李容[1] 蒋晓丽[1] 范向明[1]

机构地区：[1]西华师范大学化学化工学院电化学研究所,四川南充637002

出　　处：《分析测试学报》

基　　金：四川省教育厅资助项目(08zc007)

年　　份：2009

卷　　号：28

期　　号：12

起止页码：1405-1409

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、RSC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）对钠基蒙脱土进行改性，并用红外光谱、X衍射对CTAB—NaM—MT进行表征，制备了改性钠基蒙脱土修饰电极（CTAB—NaMMT—CMC／GCE），研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明，在pH0．8的H2SO4-Na2SO4电解质溶液中，SA在1．19V出现一明显的氧化峰，在40400mV／s范围内，其氧化峰电流与扫描速率的平方根（v^1/2）呈良好线性关系，表明电极过程为受扩散控制不可逆过程。测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别为2、2、0．389、1．275×10^-6cm^2／s。方波溶出伏安法的氧化峰电流（Ipa）与SA浓度在8．0×10^-7-1．25×10^-4mol／L范围内呈良好的线性关系（r=-0．9996），检出限为2．27×10^-7mol/L，加标回收率为96％-101％。

关 键 词：钠基蒙脱土 十六烷基三甲基溴化铵 化学修饰电极 电化学行为 方波溶出伏安  

分 类 号：O657.15]