期刊文章详细信息
基于SCR的ESD器件低触发电压设计
Low-triggering Voltage Design of SCR-based ESD Protection Circuits
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]东南大学集成电路学院,南京210096 [2]东南大学无锡分校,江苏无锡214135 [3]新南威尔士大学电子工程和电信学院 [4]无锡奥利杰科技有限公司,江苏无锡214135
基 金：国家科技部创新基金项目(07C26213200393)
年 份：2009
卷 号：29
期 号：4
起止页码：561-565
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。
关 键 词：静电释放 可控硅 低触发电压
分 类 号：TN43]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
