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期刊文章详细信息

0.13μm GGNMOS管的ESD特性研究    

The ESD Characteristics Research of 0.13μm GGNMOS

  

文献类型:期刊文章

作  者:郭斌[1] 王东[2] 姜玉稀[3]

机构地区:[1]山西稷山广播电视发展中心,山西稷山043200 [2]巴州电力公司塔什店火电厂,四川巴中636600 [3]上海大学,上海200000

出  处:《电子与封装》

年  份:2009

卷  号:9

期  号:12

起止页码:11-16

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0.13μm硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响。通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性。

关 键 词:静电泄放(ESD)  栅极接地NMOS(GGNMOS)  骤回特性  

分 类 号:TN305.94]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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