文献类型：期刊文章

作　　者：官文栎[1] 连洁[2] 王青圃[2] 程兴奎[3] 于元勋[1]

机构地区：[1]山东教育学院物理系,济南250013 [2]信息科学与工程学院 [3]物理与微电子学院,济南250100

出　　处：《半导体光电》

基　　金：山东省中青年科学家奖励基金资助项目

年　　份：2009

卷　　号：30

期　　号：6

起止页码：811-814

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电子波干涉法是一种新的量子阱探测器能带结构计算方法,该方法是基于电子波在量子阱界面的反射和干涉效应提出的。利用电子波干涉法,设计了一种新型的宽带量子阱红外探测器。对这种探测器的能带结构进行了计算,分析了这种新型探测器的响应带宽和暗电流特性。理论计算表明:电子在干涉形成的分离能级间跃迁可形成多个响应带,这些响应带之间相互交叠可实现宽带响应;器件的暗电流在微安量级且随温度的变化不大。共振隧穿电流随温度的变化较小,是暗电流的主要组成部分;而热离子激发电流随温度的变化较大,但对暗电流的影响不大。

关 键 词：电子波 反射和干涉  A1GaAs/GaAs量子阱红外探测器  

分 类 号：TN215]