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以LaNiO_3为电极在Si衬底上生长的(Ba,Sr)TiO_3薄膜的结构和介电性质
Microstructure and Dielectric Properties of(Ba,Sr)TiO_3 Films Deposited on Silicon Substrate Using Conducting LaNiO_3 Electrode
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]江苏技术师范学院物理系,江苏常州213001
年 份:2009
卷 号:27
期 号:6
起止页码:942-945
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:利用射频磁控溅射技术,在传导的钙钛矿型的LaNiO3电极上生长了(Ba,Sr)TiO3薄膜。为了研究生长温度对(Ba,Sr)TiO3薄膜结晶程度的影响,沉积过程中选择了100℃-700℃的衬底温度。在300℃的较低生长温度时,薄膜由无定型相开始转变为多晶相;当生长温度增加到500℃以上时,薄膜呈现出高度的(h00)取向。利用扫描电子显微镜(SEM),可以看到在600℃时,薄膜的表面形貌光滑而且致密。另外,随着生长温度的提高,薄膜的相对介电常数(rε)因为结晶性的改善快速增大;在500℃以上时增加得比较小。薄膜在600℃以上时,其介电损耗低于0.02。同时研究了不同生长温度条件下薄膜的电容-电压特性,薄膜的调谐率随着结晶性的改善获得了极大的提高,这主要是薄膜介电常数增大的结果。
关 键 词:(Ba Sr)TiO3薄膜 LaNiO3电极
分 类 号:O484]
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