文献类型：期刊文章

作　　者：李毅[1,2] 王海方[1] 俞晓静[1] 黄毅泽[1] 张虎[1] 张伟[1] 朱慧群[1,3]

机构地区：[1]上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海200093 [2]上海市现代光学系统重点实验室,上海200093 [3]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东江门529020

出　　处：《材料工程》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)专题课题资助项目(2006AA03Z348);教育部科学技术研究重点资助项目(207033);上海市科学技术委员会科技攻关计划资助项目(06DZ11415);上海市教委科学技术研究重点资助项目(06ZZ32)

年　　份：2009

卷　　号：37

期　　号：12

起止页码：83-88

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20100112617525)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO2薄膜材料具有较大的应用潜力。本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO2薄膜材料存在的问题和发展方向。

关 键 词：脉冲激光沉积 VO2 薄膜  制备  掺杂

分 类 号：TB43] TN215]