期刊文章详细信息
金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究 ( EI收录)
Interfacial Studies of AlN/Si Structure Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]大连民族学院理学院光电子研究所,大连116600 [2]香港科技大学电子工程系
年 份：2009
卷 号：23
期 号：2
起止页码：73-74
语 种：中文
收录情况：EI、IC、JST、SCOPUS、普通刊
摘 要：采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si_3N_4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si_3N_4层也将促使AlN层呈岛状生长。
关 键 词：金属有机化学气相沉积 氮化铝 非晶层
分 类 号：TN304.23] TQ628.2]
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