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无光刻法制备Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x)单晶内禀结
FABRICATION OF STACKED INTRINSIC JOSEPHSON JUNCTIONS FROM Bi 2Sr 2CaCu 2O 8+ x SINGLE CRYSTALS USING A NON PHOTOLITHOGRAPHY TECHNIQUE
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心
基 金：国家超导中心资助
年 份：1998
卷 号：20
期 号：5
起止页码：369-372
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：我们发展了一种简易的、无光刻法制备Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶内禀结的新型工艺，制备过程简单，重复性好，成功率高，结面积在２０μｍ×２０μｍ～８０μｍ×８０μｍ之间．同时，我们测量了内禀结的直流Ｉ～Ｖ特性。
关 键 词：高TC 超导体 无光刻法 工艺 BSCCO 单晶内禀结
分 类 号：TM263.05[材料类]
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