文献类型：期刊文章

作　　者：江炳尧[1,2] 牟海川[1,2] 毛应俊[1,2] 任琮欣[1,2] 柳襄怀[1,2] 张宏[1,2]

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 [2]中国科学院上海冶金研究所超导实验室

出　　处：《低温物理学报》

基　　金：中国科学院基础研究局青年科学基金

年　　份：1998

卷　　号：20

期　　号：5

起止页码：340-346

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟低能Ａｒ＋离子注入ＺｒＯ２单晶所引起的原子级联碰撞过程．模拟结果表明，Ａｒ＋离子沿［１１１］轴沟道方向入射的溅射率低于沿［１０１］轴沟道方向入射的溅射率，更低于沿非沟道方向入射的溅射率．Ａｒ＋离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ａｒ＋离子入射能量的增大而迅速增大．因此在薄膜生长的过程中，若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击，薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒，其溅射率和损伤程度较小．这些晶粒能保存下来并继续生长，而其它的晶粒由于其溅射率和损伤程度较大生长受到抑制．在薄膜生长的过程中，溅射率最少的晶粒由于生长速度较快，最终抑制了其它取向晶粒的生长．该模拟计算定性地说明了由于晶粒溅射产额的各向异性导致了Ｙ稳定的ＺｒＯ２薄膜具有单一的取向和平面织构．

关 键 词：沟道效应 YSZ 薄膜生长 钇 二氧化锆 超导体  

分 类 号：TM262[材料类]