文献类型：期刊文章

作　　者：侯茹[1] 郭平[2] 李英[1,3] 陈永庄[3] 张继良[3] 任兆玉[4]

机构地区：[1]商洛学院物理与电子信息工程系,商洛726000 [2]西北大学物理系,西安710069 [3]商洛学院量子光学与量子信息研究所,商洛726000 [4]西北大学光子学与光电子技术研究所,西安710069

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学青年基金项目(10904123);陕西省教育厅自然科学基金项目(09JK417)

年　　份：2009

卷　　号：26

期　　号：5

起止页码：853-858

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了两个铌原子掺杂硅团簇的几何和电子结构性质.计算结果表明,Nb2Sim(n=1～6)团簇相对最稳定的结构基本上都保持了Si_(n+2)团簇基态构型的框架,除了Nb_2Si_2团簇外,所有的低能态都是单重态构型.Nb_2Si_3的分裂能最大,在稳定的Nb_2Si_n(n=1～6)团簇中具有最强的热力学稳定性.在Nb_2Si团簇和Nb_2Si_2团簇中,电子转移是从Nb原子向Si原子的;而当n=3～6时,电子转移出现了反转现象,开始从Si原子转移到Nb原子.

关 键 词：密度泛函理论 Nb2Sin团簇  相对稳定性  自然布局  HOMO-LUM0能隙  

分 类 号：O469]