文献类型：期刊文章

作　　者：周士芸[1,2] 谢泉[1] 闫万珺[1,2] 陈茜[1]

机构地区：[1]贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 [2]贵州安顺学院物理系,贵州安顺561000

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60566001);教育部留学回国科研基金(2005383);贵州省科技厅国际合作项目(2005400102);安顺市科技计划(20082021)资助课题

年　　份：2009

卷　　号：29

期　　号：10

起止页码：2848-2853

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20094712478978)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35eV;Mn掺杂后费米能级进入导带,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.24eV,CrSi2转变为n型半导体。光学参数发生改变,静态介电常数由掺杂前的ε1(0)=32变为掺杂后的ε1(0)=58;进一步分析了掺杂对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质的影响,为CrSi2材料掺杂改性的研究提供了理论依据。

关 键 词：光学材料 CrSi2  电子结构  光学性质 掺杂 第一性原理

分 类 号：O474] O481.1[物理学类]