文献类型：期刊文章

作　　者：余洋[1] 胡忠强[1] 邱达[1] 裴玲[1] 于本方[1] 李美亚[1]

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院/声光材料与器件教育部重点实验室,湖北武汉430072

出　　处：《武汉大学学报（理学版）》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB932305);国家自然科学基金资助项目(50872097)

年　　份：2009

卷　　号：55

期　　号：5

起止页码：539-543

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi0.85Ho0.15FeO3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为150 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15μC/cm2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性.

关 键 词：BiFeO3多铁陶瓷  Ho掺杂  铁电性 介电性 磁性

分 类 号：TN304]