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期刊文章详细信息

基于SIMON仿真软件的单电子存储器分析    

Simulation and Analysis of Single-Electron Memory with SIMON

  

文献类型:期刊文章

作  者:任国燕[1,2] 黄勤易[1]

机构地区:[1]重庆科技学院电子信息工程学院,重庆401331 [2]加拿大温莎大学电子与计算机工程系

出  处:《微纳电子技术》

年  份:2009

卷  号:46

期  号:10

起止页码:587-590

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响。研究表明,单电子环形存储器单元电路利用量子点环状电路结构形式,由外接输入电压控制各岛上的电荷,能够得到存储器的"0"和"1"状态。并且该电路对温度和背景电荷极为敏感,在温度为0K和零背景电荷条件下电路能够正常工作,但是当温度和背景电荷发生微小变化,电路的输出状态将会受到破坏。

关 键 词:SIMON 单电子环形存储器  量子点 岛  随机背景电荷  

分 类 号:O411.3]

参考文献:

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同被引文献:

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