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GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究 ( EI收录)
Temperature characteristics of the forward voltage of GaN based blue light emitting diodes
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山528000
基 金:广东省自然科学基金(批准号:04011642);佛山市科技发展专项基金(批准号:04030021)资助的课题~~
年 份:2009
卷 号:58
期 号:10
起止页码:7189-7193
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000270876900086)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:对GaN基蓝光发光二极管(LED)正向电压温度特性进行了研究,发现在温度较高时,正向电压随温度的变化系数逐渐减小,直至出现拐点,正向电压随温度的变化系数由负数变为正数.此时若继续升高温度,则正向电压随温度升高迅速增加,并常常伴随有器件失效的现象发生.在小电流情况下,这种现象不很明显,随着电流的增加,现象表现得越来越明显,拐点出现的温度也越来越低,而且温度超过拐点之后,正向电压值增加得更快.通过与相同封装的另一组器件测试结果对比,排除了封装材料玻璃转换温度的影响.分析认为,这一现象的出现是由器件等效串联电阻迅速增加所致,而且主要是由器件p型层材料的迅速劣化引起的.研究结果表明通过测量不同电流下正向电压随温度的变化系数能够快速判断GaN基蓝光LEDp型层的质量好坏,为研究者和生产者提供了一种快速、简便的测试方法.
关 键 词:发光二极管 氮化镓 正向电压 温度系数
分 类 号:TN312.8]
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