期刊文章详细信息
Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究 ( EI收录 SCI收录)
First-principles study on the effects of the concentration of Al-2N high codoping on the electric conducting performance of ZnO
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]内蒙古工业大学理学院物理系,呼和浩特010051
基 金：国家自然科学基金(批准号:10862002)资助的课题~~
年 份：2009
卷 号：58
期 号：10
起止页码：7136-7140
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000270876900077)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000270876900077)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要：采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了不同大小的ZnO模型,在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂,并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算,然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算,最后对电导率进行了类比,发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强.即在低温高掺杂氮和铝原子的条件下,ZnO半导体的电导率不仅与掺杂氮和铝原子浓度有关,而且和进入价带的相对空穴数有关.和空穴散射的迁移率有关的结果,与实验结果对比分析,计算和实验结果相一致.
关 键 词：ZnO半导体 浓度 电导率 第一性原理
分 类 号：O471]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
