文献类型：期刊文章

作　　者：隆仁伟[1,2] 陈杨[1,2] 赵晓兵[1,2] 陈志刚[1]

机构地区：[1]江苏工业学院材料科学与工程学院,江苏常州213164 [2]常州市高分子新材料重点实验室,江苏常州213164

出　　处：《摩擦学学报》

基　　金：江苏省工业支撑计划资助项目(BE2008037);常州市工业科技攻关资助项目(CE2007068;CE2008083)

年　　份：2009

卷　　号：29

期　　号：5

起止页码：412-417

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20094612449731)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以无水乙醇为溶剂,氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯(TEOS)水解,并在500℃下煅烧1h,制备了SiO2粉体.将SiO2粉体作为内核浸渍到以硝酸亚铈、乙酰丙酮和正丙醇为原料制备的铈溶胶中,得到包覆型CeO2@SiO2复合粉体.利用XRD、SEM、TEM和FT-IR等测试手段,对所制备样品的物相结构、形貌、粒径大小、团聚情况进行表征.将所制备的包覆型CeO2@SiO2复合粉体配制成抛光浆料用于砷化镓晶片的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度.结果表明,采用浸渍工艺成功制备出单分散球形,粒径在400～450nm,负载均匀的包覆型CeO2@SiO2复合粉体.复合粉体中CeO2的包覆量随着铈溶胶中铈离子浓度的升高而增大.经包覆型CeO2@SiO2复合磨料抛光后的砷化镓晶片表面的微观起伏更趋于平缓,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.819nm,获得了具有亚纳米量级粗糙度的抛光表面.

关 键 词：CeO2@SiO2复合磨料  浸渍 包覆 砷化镓 抛光

分 类 号：TB383[材料类]