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期刊文章详细信息

坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性  ( EI收录 SCI收录)  

Optical Homogeneity of CdWO_4 Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Process

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈红兵[1] 肖华平[1] 徐方[1] 方奇术[1] 蒋成勇[1] 杨培志[2]

机构地区:[1]宁波市新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地,宁波大学材料科学与工程研究所,宁波315211 [2]昆明物理研究所,昆明650223

出  处:《无机材料学报》

基  金:宁波市自然科学基金(2007A610025)

年  份:2009

卷  号:24

期  号:5

起止页码:1036-1040

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号:20094512437613)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000270322100032)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000270322100032)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380~550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.

关 键 词:钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 光学均匀性

分 类 号:O782]

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