文献类型：期刊文章

作　　者：周士芸[1] 谢泉[2] 闫万珺[1] 陈茜[2]

机构地区：[1]贵州安顺学院物理系,贵州安顺561000 [2]贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州贵阳550025

出　　处：《云南大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60566001);教育部留学回国科研基金资助项目(2005383);贵州省科技厅国际合作项目资助(2005400102);安顺市科技计划项目资助(20082021)

年　　份：2009

卷　　号：31

期　　号：5

起止页码：484-488

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、IC、MR、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrS i2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrS i2是具有ΔEg=0.35 eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和S i的3p层电子的态密度决定;V替代Cr掺杂后,费米能级进入价带,费米面插在价带的中间,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.25 eV;掺杂后费米面附近的电子能态密度则由Cr的3d层电子、V的3d层电子和S i的3p层电子的态密度共同决定,掺杂后V原子成为受主,在价带顶附近贡献了一定数量的空穴,使掺杂后CrS i2的导电类型变为p型,提高了材料的电导率.

关 键 词：半导体材料 CrSi2  掺杂 能带结构  第1性原理  

分 类 号：O474] O481.1[物理学类]