文献类型：期刊文章

作　　者：常红军[1] 王晓春[1] 费智霞[1] 慕蔚[1] 李习周[1] 冯学贵[1] 鲁明朕[1]

机构地区：[1]天水华天科技股份有限公司,甘肃天水741000

出　　处：《电子与封装》

年　　份：2009

卷　　号：9

期　　号：8

起止页码：1-4

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。

关 键 词：铜丝  键合 弹坑  工艺方案  

分 类 号：TN305.94]