文献类型：期刊文章

作　　者：仲维卓[1] 于锡铃[2] 罗豪[1] 程振翔[2] 华素坤[1,2]

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800 [2]山东大学晶体材料研究所,济南250100

出　　处：《中国科学（E辑）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :5 9772 0 0 3)

年　　份：1998

卷　　号：28

期　　号：4

起止页码：320-324

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、JST、普通刊

摘　　要：从结晶化学角度出发 ,研究了KDP晶体的生长基元和形成机理 .研究了固 液界面边界层在不同面族上厚度的变化 ,并采用Raman光谱对生长过程中溶液结构的变化进行实时观察 ,发现边界层处溶液结构与晶体结构相似 ,提出晶体生长基元为 [H2 PO4]-,根据生长基元往各族晶面上键合的难易程度 ,决定了各族晶面生长速率的差异 ,生长基元往各族晶面上的键合主要取决了KO和HO键角的方位 ,从而进一步阐明了各族晶面生长速率差异的原因 ,以及生长溶液的 pH值对晶体结晶形态的影响 .

关 键 词：KDP晶体 晶体生长 生长基元 形成机理  结晶习性

分 类 号：O781]