期刊文章详细信息
光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析 ( EI收录)
Fabrication and Characteristics Analysis of Photo-Negative Impedance Transistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]天津大学电子工程系,天津300072
基 金：国家自然科学基金
年 份：1998
卷 号：26
期 号：8
起止页码：105-107
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1999374735544)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。
关 键 词：负阻晶体管 光电负阻晶体管 光电晶体管
分 类 号：TN364.3]
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