文献类型：期刊文章

作　　者：方庆清[1] 王伟娜[1] 周军[1] 王胜男[1] 闫方亮[1] 刘艳美[1] 李雁[1] 吕庆荣[1]

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥230039

出　　处：《物理学报》

基　　金：安徽省自然科学基金(批准号:090414177)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：8

起止页码：5836-5841

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000269228600111)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000269228600111)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果表明,Mg含量增加,Zn1-xMgxO单晶薄膜的紫外发光峰蓝移,发光峰强度减弱,缺陷发光强度增强.同时发现,由于Mg的掺杂,引入了一些束缚能较大的局域束缚态.对于氧气氛下制备的样品,实验发现紫外峰和绿光带发光峰同时增强,但是R值减小,紫外峰红移.对绿光发光机理研究发现,绿光发光带主要与锌空位、氧间隙(Oi)或锌位氧(OZn)等缺陷有关,它是由多个缺陷发光峰组成,各缺陷发光峰强度相对变化导致了绿光发光带的整体移动.

关 键 词：Zn1-xMgxO薄膜  光致发光 脉冲激光沉积

分 类 号：O484.41]