文献类型：期刊文章

作　　者：陈焕庭[1] 吕毅军[1] 陈忠[1] 张海兵[1] 高玉琳[1] 陈国龙[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,厦门361005

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A175);福建省科技重大专项(批准号:2006H0092);福建省自然科学基金(批准号:2008J0030)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：8

起止页码：5700-5704

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000269228600087)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000269228600087)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.

关 键 词：GAN发光二极管 负电容 电导 老化机理  

分 类 号：TN312.8]