文献类型：期刊文章

作　　者：杜帅[1,2] 高陇桥[1,2] 刘征[1,2] 李发[1,2] 李龙土[1,2]

机构地区：[1]电子工业部第十二研究所 [2]清华大学材料科学与工程系

出　　处：《硅酸盐学报》

年　　份：1998

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：496-502

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理，应用基本的电介质物理理论，结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点，研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能（介电常数、介电损耗角正切值）随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性．结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理为空间电荷极化；经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷；ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好，导热率较高而有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瓷性能更加优良的基板材料．

关 键 词：氮化铝陶瓷 介电常数 介电损耗 陶瓷

分 类 号：TQ174.758]