文献类型：期刊文章

作　　者：左青云[1] 刘明[1] 龙世兵[1] 王琴[1] 胡媛[1] 刘琦[1] 张森[1] 王艳[1] 李颖弢[1]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403;90607022;60506005)

年　　份：2009

卷　　号：39

期　　号：4

起止页码：546-551

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。

关 键 词：非挥发性存储器 阻变存储器  电阻转变  

分 类 号：TP333.5]