文献类型：期刊文章

作　　者：黄柏仁[1,2] 叶忠信[1,3] 汪岛军[1] 谭振台[1] 宋健民[4]

机构地区：[1]国立云林科技大学工程科技研究所,中国台湾云林 [2]国立台湾科技大学电子工程系暨光电工程研究所,中国台湾台北 [3]建国科技大学电子工程系,中国台湾彰化 [4]中国砂轮公司,中国台湾台北

出　　处：《新型炭材料》

年　　份：2009

卷　　号：24

期　　号：2

起止页码：97-101

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20093012214693)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000267634200001)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与非晶碳膜/硅基材两者之表面形貌、粗糙度、结构及键结等物理特性。并比较两者之电子场发射特性。研究结果显示:两者都拥有低起始电场及高电流密度,其中非晶碳膜/铜纳米线/硅基材的场发射起始电压为3.75V/μm优于非晶碳膜/硅基材的15V/μm,因此非晶碳膜/铜纳米线/硅基材更适用于场发射平面显示器(FED)之发射子,可应用于高稳定性及低成本之场发射平面显示器之研发。

关 键 词：场发射 非晶碳膜 铜纳米线(CuNWs)  阳极氧化铝(AAO)  

分 类 号：TB383.1[材料类]