文献类型：期刊文章

作　　者：鲜晓斌[1] 谢茂林[1] 罗德礼[1] 冷邦义[1] 陈伟[1] 鲁伟员[2]

机构地区：[1]中国工程物理研究院,四川绵阳621900 [2]四川艺精超硬材料有限公司,四川江油621700

出　　处：《硅酸盐学报》

年　　份：2009

卷　　号：37

期　　号：7

起止页码：1268-1272

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20093312251784)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1000～1300℃,4.0～4.5GPa,15～35min)实现了4%(质量分数,下同)Al2O3烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结。研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响。用X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征。结果表明:Al2O3是有效的低温烧结助剂,在超高压工艺下添加4%Al2O3即可实现SiC陶瓷全致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩了约0.45%;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力的升高或保温时间的延长而提高。

关 键 词：碳化硅 氧化铝 烧结  超高压

分 类 号：TQ174]