登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

离子束辅助沉积硅薄膜负极材料的研究  ( EI收录 SCI收录)  

Investigation of Si film anode prepared by ion beam assisted deposition

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈立宝[1] 虞红春[1] 许春梅[1] 王太宏[1]

机构地区:[1]湖南大学微纳技术研究中心,长沙410082

出  处:《物理学报》

基  金:国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB310500);国家自然科学基金(批准号:90606009)资助的课题~~

年  份:2009

卷  号:58

期  号:7

起止页码:5029-5034

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000268263700103)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000268263700103)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:采用离子束辅助沉积法制备了锂离子电池硅薄膜负极材料,研究了硅薄膜的晶体结构、表面形貌和电化学性能.研究结果表明:硅薄膜是非晶态的结构;非晶态硅薄膜发生嵌脱锂反应的电位分别为0.03 V与0.34 V和0.16 V与0.49 V;硅薄膜表现出很高比容量和充放电效率,其可逆比容量和库仑效率分别为3134.4 mAh/g和87.1%;硅薄膜具有优异的循环性能,在0.5C倍率下200次循环后容量保持率为92.2%.

关 键 词:硅薄膜 离子束辅助沉积 锂离子电池 负极材料

分 类 号:O484]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心