文献类型：期刊文章

作　　者：刘芳[1] 王茺[1] 杨瑞东[1,2] 李亮[1] 熊飞[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所,昆明650091 [2]红河学院物理系,蒙自661100

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60567001)

年　　份：2009

卷　　号：23

期　　号：14

起止页码：75-79

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度。计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小。还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释。

关 键 词：第一性原理 SIGE 电子结构 光学性质

分 类 号：O484.41] TM53[物理学类]