文献类型：期刊文章

作　　者：王醉[1,2] 马锡英[2] 宋经纬[2] 陈中平[2] 杨爱国[2] 姚江宏[1]

机构地区：[1]南开大学物理科学与技术学院,天津300071 [2]绍兴文理学院光电材料研究所,浙江绍兴312000

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60776004);浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)

年　　份：2009

卷　　号：46

期　　号：7

起止页码：404-409

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。

关 键 词：半导体纳米晶体 掺杂 光电特性 胶体法  掺杂机制  

分 类 号：TN383] TN304.25