期刊文章详细信息
衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响
Influence of Substrate Temperature on Performance of Transparent Conductive ZAO Film Deposited by RF Sputtering
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中南民族大学等离子体研究所,武汉430074
基 金：国家民委科研基金资助项目(05ZN03)
年 份：2009
卷 号：28
期 号：2
起止页码：10-13
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA-PROQEUST、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300℃增加到400℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3Ω.cm、透过率为84%,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势.
关 键 词：ZAO薄膜 衬底温度 电阻率 透过率
分 类 号：O484.1]
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