文献类型：期刊文章

作　　者：郭连权[1] 刘嘉慧[2] 宋开颜[1] 张金虎[1] 马贺[1] 武鹤楠[1] 李大业[1]

机构地区：[1]沈阳工业大学理学院,沈阳110178 [2]沈阳工业大学基础教育学院,沈阳110178

出　　处：《沈阳工业大学学报》

基　　金：辽宁省自然科学基金资助项目(20062040)

年　　份：2009

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：296-298

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、EI(收录号：20093012222290)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV,该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.

关 键 词：晶体Si  半导体 能带  禁带宽度 密度泛函 第一性原理 赝势 Abinit软件  

分 类 号：O73] O799