期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]天津师范大学物理系 [2]天津大学分析测试中心 [3]天津理工学院材料物理所
基 金:天津高教局重点学科资金
年 份:1998
卷 号:29
期 号:4
起止页码:408-409
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:报道了一种用化学合成法制备ZnS∶Mn纳米晶的方法。制得纳米晶直径分别为3.0nm和3.6nm,紫外吸收峰分别在267nm和275nm,相对于体材料吸收带边的340nm有明显的兰移。310nm光激发的发射光谱峰值分别为579nm和582nm,表明Mn已掺入ZnS纳米晶之内。
关 键 词:纳米晶 化学合成 半导体 硫化锌二锰
分 类 号:TN304.22] O48]
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