文献类型：期刊文章

作　　者：赵静[1] 刘丽杰[2] 蔡宁[2] 薛俊明[2] 赵颖[2]

机构地区：[1]天津新华职工大学,天津300040 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：天津市重点基金项目(No.06YFJZJC01700);科技部基础研究973项目(No.2006CB202602No.2006CB202603)

年　　份：2009

卷　　号：38

期　　号：3

起止页码：772-776

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20093012214249)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一。随Al∶Zn原子比从0∶100变化至8.0∶100,电阻率呈现先递减后递增的规律。当Al∶Zn原子比为4.0∶100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3Ω.cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高。为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成。

关 键 词：ZNO 掺杂 电学特性

分 类 号：TM615]