期刊文章详细信息
Mg,Cu掺杂CdS电子结构的第一性原理研究 ( EI收录 SCI收录)
First-principles calculation of CdS electronic structure doped with Mg and Cu
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]长江师范学院物理学与电子工程学院,重庆408003 [2]太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024
基 金:重庆市教委科学技术研究基金(批准号:KJ081307);长江师范学院重点学科基金(批准号:2003148)资助的课题~~
年 份:2009
卷 号:58
期 号:6
起止页码:4137-4143
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000267180700082)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000267180700082)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对闪锌矿结构CdS晶体及CdS:M(M=Mg,Cu)的几何结构、能带结构、电子态密度、集聚数和电荷密度分布进行了研究.对掺杂后体系的几何结构进行了优化计算,发现Mg和Cu原子掺入CdS后晶格常量均减少,晶格发生畸变.在此基础上研究了掺杂对体系电子结构的影响.结果表明,Mg,Cu掺入CdS都能提供较多空穴态,形成p型电导,并且Cu较Mg是更好的p型掺杂剂.
关 键 词:密度泛函理论 电子结构 P型掺杂
分 类 号:O481]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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