文献类型：期刊文章

作　　者：陈伟华[1] 廖辉[1] 胡晓东[1] 李睿[1] 贾全杰[2] 金元浩[3] 杜为民[3] 杨志坚[1] 张国义[1]

机构地区：[1]人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京100871 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039 [3]北京大学现代光学研究所,北京100871

出　　处：《光谱学与光谱分析》

基　　金：国家自然科学基金项目(60776042);“863”计划项目(2007AA03Z403);国家重大科学研究计划项目(2006CB921607)资助

年　　份：2009

卷　　号：29

期　　号：6

起止页码：1441-1444

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20092712163997)、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000266681400001)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000266681400001)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。

关 键 词：GAN基激光器 多量子阱(MQWs)  ALINGAN 垒材料  

分 类 号：O47]